Elektronik i norden: Si möter konkurrens från både SiC och GaN

22 June, 2016 - 09:37

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.

ISICPEAW arrangeras årligen i ett samarbete mellan SiC Power Center (ett initiativ av Acreo Swedish ICT, KTH och Swerea Kimab), Enterprise Europe Network och Yole Développement.

Läs artikeln i Elektronik i Norden

 

Mer information

SiC Power Center

ISiCPEAW 2016