Elektronik i Norden: Asien och USA dominerar brett bandgap

16 June, 2017 - 08:59

Konferensen IWBGPEAW 2017 arrangeras årligen i ett samarbete mellan RISE Acreo, SiC Power Center (ett initiativ av RISE Acreo, KTH och Swerea Kimab), Yole Développement, Energimyndigheten, Enterprise Europe Network och Green power electronics.

USA, Japan och Kina fortsätter att stärka sina marknadspositioner inom halvledare för brett bandgap (WBG, Wide Band Gap). I en första rapport från IWBGPEAW tar vi upp marknadens utveckling. Hong Lin, senior analyst vid Yole Dévelopement (foto nedan) gav en sammanfattning på konferensen.

Konferensen inleddes av professor Mietek Bakowski, senior expert vid RISE Acreo som betonade SiC- (SiC, kiselkarbid) och GaN-halvledarnas (GaN, galliumnitrid) stora betydelse för att minska klimatpåverkan tack vare att de starkt kan bidra till ökad verkningsgrad i kraftelektronik.

– Energibesparing är i ett samhällsperspektiv den viktigaste tekniska fördelen med brett bandgap. Vi möter dock fortfarande utmaningar i att få en kostnadseffektiv tillverkning av komponenter, kapsla komponenter samt utveckla driv- och styrkretsar. Långsiktiga strategiska program och initiativ behöver vi, helt enkelt för att det är det snabbaste och mest effektiva sättet att främja samarbete mellan akademin och industrin och för att motivera och involvera nya industripartner.  Vi skall heller inte glömma det internationella samarbetet. Utmaningarna är trots allt globala!

Läs hela artikeln hos Elektronik i Norden

Power Electronics på RISE Acreo